| 详细介绍：
20世纪90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，芯片集成度不断提高，I / O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为满足发展的需要，在原有封装方式的基础上，又增添了新的方式----球栅阵列封装，简称BGA（Ball Grid Array Package）。
随着芯片集成技术的发展和电子产品向微型化方向的发展，对芯片封装技术提出了新的挑战。芯片的封装技术已经历经好几代的变迁 （从DIP、TSOP、BGA、CSP），技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。
BGA封装技术的发展越来越成熟，已经被应用到很多集成电路上，这种封装技术大大缩小了集成电路的体积，增强电路的功能，减小功耗，降低生产成本。
锡球特点
本产品的纯度和圆球度均非常高，适用于BGA，CSP等尖端封裝技术及微细焊接使用，使用时具自动校正能力並可容许相对较大的置放误差，无端面平整度問題。
锡球合金成份
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合金成分
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熔点(℃)
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用途
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固相线
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液相线
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Sn63/Pb37
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183
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183
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常用锡球
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Sn62/Pb36/Ag2
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179
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179
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用于含银电极元件的焊接
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Sn10/Pb90
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268
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300
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无铅焊接
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Sn96.5/Ag3.5
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221
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221
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无铅焊接
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Sn95.5/Ag4/Cu0.5
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217
|
217
|
无铅焊接
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Sn96.5/Ag3/Cu0.5
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217
|
217
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无铅焊接
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锡球型号、包装
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直径（mm）
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公差（mm）
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真圆度（mm）
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粒 / 瓶
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克 / 瓶（净重）
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0.25
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±0.010
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＜0.008
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100万粒
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68.92g
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0.30
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±0.010
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±0.010
|
100万粒
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119.05g
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0.35
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±0.010
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±0.010
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50万粒
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189.02g
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0.40
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±0.012
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±0.011
|
50万粒
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141.50g
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0.45
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±0.012
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±0.012
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25万粒
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200.85g
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0.50
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±0.015
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±0.013
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25万粒
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137.80g
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0.55
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±0.015
|
±0.015
|
25万粒
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188.10g
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0.60
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±0.018
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±0.016
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25万粒
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238.08g
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0.65
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±0.018
|
±0.018
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25万粒
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303.11g
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0.70
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±0.020
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±0.019
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25万粒
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378.52g
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0.76
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±0.020
|
±0.020
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25万粒
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484.45g
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0.889
|
±0.025
|
±0.025
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12.5万粒
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387.66g
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锡球物理参数
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物理特性
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熔点
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密度
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导电性
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热膨胀系数
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导热性
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抗剪强度
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抗张强度
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（℃）
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（mg/cm3）
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in/in℃@20℃
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w/cm℃@85℃
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PSI
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PSI
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Sn63/Pb37
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183
|
8.38
|
11.46
|
25.2
|
0.5
|
6200
|
7500
|
|
Sn62/Pb36/Ag2
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179
|
8.42
|
11.85
|
27.1
|
0.5
|
7540
|
7540
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