销售产品：进口DCS、PLC控制系统备品备件和大型进口系统模块备件公司

1.Allen-Bradley(美国AB)系列产品》

2.Schneider(施耐德电气)系列产品》

3.General electric(通用电气)系列产品》

4.Westinghouse（美国西屋）系列产品》

5.SIEMENS(西门子系列产品)》

6.销售ABB Robots. FANUC Robots、YASKAWA Robots、KUKA Robots、Mitsubishi Robots、OTC Robots、Panasonic、Robots、MOTOMAN Robots。

7.estinghouse（西屋）： OVATION系统、WDPF系统、MAX1000系统备件。

8.Invensys Foxboro（福克斯波罗）：I/A Series系统，FBM（现场输入/输出模块）顺序控制、梯形逻辑控制、事故追忆处理、数模转换、输入/输出信号处理、数据通信及处理等。Invensys Triconex: 冗余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的zui现代化的容错控制器。

9.Siemens(西门子)：Siemens MOORE， Siemens Simatic C1，Siemens数控系统等。

10.Bosch Rexroth（博世力士乐）：Indramat，I/O模块,PLC控制器,驱动模块等。

◆Motorola（摩托罗拉）：MVME 162、MVME 167、MVME1772、MVME177等系列。采购美国、德国、法国、意大利等欧盟工控产品、备品备件

公司服务宗旨：为客户创造利益，创造价值，满意是我 们服务的宗旨，您的信赖是我们永远的追求！

1. MCT （MOS Control led Thyristor）：MOS控制晶闸管MCT 是一种新型MOS 与双极复合型器件。如上图所示。MCT是将 MOSFET 的高阻抗、低驱动图 MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电流特型结合在一起，形成大功率、高压、快速全控型器件。实质上MCT 是一个MOS 门极控制的晶闸管。它可在门极上加一窄脉冲使其导通或关断，它由无数单胞并联而成。它与GTR，MOSFET，IGBT，GTO等器件相比，有如下优点：（1）电压高、电流容量大，阻断电压已达3000V，峰值电流达1000A， 可关断电流密度为6000kA/m2；（2）通态压降小、损耗小，通态压降约为11V；（3）极高的dv/dt和di/dt耐量，dv/dt已达2kV/s ，di/dt为2kA/s；（4）开关速度快， 开关损耗小，开通时间约200ns，1000V 器件可在2s 内关断；2. IGCT（Intergrated Gate Commutated Thyristors）IGCT是在晶闸管技术的基础上结合IGBT和GTO等技术开发的新型器件，适用于高压大容量变频系统中，是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点。在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT芯片在不串不并的情况下，二电平逆变器功率0.5~3MW，三电平逆变器1~6MW；若反向二极管分离，不与IGCT集成在一起，二电平逆变器功率可扩至4/5MW，三电平扩至9MW。目前，IGCT已经商品化， ABB公司制造的IGCT产品的 性能参数为4［1］5kV/4kA ， 研制水平为6 kV/ 4 kA。1998 年，日本三菱公司也开发了直径为88mm的GCT的晶闸管IGCT损耗低、开关快速等优点保证了它能可靠、率地用于300kW~ 10MW变流器，而不需要串联和并联。

3. IEGT（ Injection Enhanced Gate Transistor） 电子注入增强栅晶体管IEGT是耐压达4kV以上的IGBT系列电力电子器件，通过采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。IEGT 具有作为MOS 系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点，以及采用沟槽结构和多芯片并联而自均流的特性，使其在进一步扩大电流容量方面颇具潜力。另外，通过模块封装方式还可提供众多派生产品，在大、中容量变换器应用中被寄予厚望。日本东芝开发的 IECT 利用了电子注入增强.效应，使之兼有IGBT和GTO 两者的优点：低饱和压降，安全工作区（吸收回路容量仅为 GTO 的十分之一左右），低栅极驱动功率（比 GTO低两个数量级）和较高的工作频率。器件采用平板压接式电机引出结构，可靠性高，性能已经达到4.5 kV/ 1500A 的水平。

优势供应，充足库存