全新原装 插件三极管 ICL8069 ICL8069DCZR PMIC-电压基准
全新原装 插件三极管 ICL8069 ICL8069DCZR PMIC-电压基准
产品价格:¥0(人民币)
  • 规格:ICL8069DCZR
  • 发货地:广东省深圳市
  • 品牌:
  • 最小起订量:1个
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    商品详情
      IRF4905STRLPBF
      规格信息:
      封装/外壳:D2PAK
      FET 类型:P 沟道
      技术:MOSFET(金属氧化物)
      漏源电压(Vdss):55V
      电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):42A(Tc)
      驱动电压( Rds On,最小 Rds On):10V
      不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值):20 毫欧 @ 42A,10V
      不同 Id 时的 Vgs(th)(值):4V @ 250μA
      不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值):180nC @ 10V
      Vgs(值):±20V
      不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值):3500pF @ 25V
      功率耗散(值):170W(Tc)
      工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
      安装类型:表面贴装
      系列:HEXFET®
      FET类型:P 沟道
      电流-连续漏极(Id)(25°C时):42A(Tc)
      驱动电压(RdsOn,最小RdsOn):10V
      不同Id时的Vgs(th)(值):4V @ 250μA
      不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(值):180nC @ 10V
      不同Vds时的输入电容(Ciss)(值):3500pF @ 25V
      不同 Id,Vgs时的 RdsOn(值):20 毫欧 @ 42A,10V
      封装形式Package:D2PAK
      极性Polarity:P-CH
      漏源极击穿电压VDSS:55V
      连续漏极电流ID:74A
      供应商器件封装:D2PAK
      电压,耦合至栅极电荷(Qg)()@ Vgs:10V
      电压,耦合至输入电容(Ciss)() @ Vds:25V

      无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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