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商品详情
南麟NP2301 20V P沟道增强型MOSFET管
南麟NP2301 20V P沟道增强型MOSFET管
南麟NP2301 20V P沟道增强型MOSFET管
描述
NP2301A采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和
栅极电压低至1.8V时运行。这
该装置适合用作负载开关或PWM
应用。
一般特征
? VDS=-20V，ID=-2.8A
RDS（开启）（典型）=75米? @VGS=-2.5V
RDS（开启）（典型）=60米? @VGS=-4.5V
? 高功率和电流处理能力
? 获得无铅产品
? 表面贴装封装
应用
? PWM应用
? 负荷开关
包裹
? SOT-23-3L
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