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产品属性
属性值
产品种类:
MOSFET
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
LSON-CLIP-8
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
15 A
Rds On-漏源导通电阻:
18 mOhms,
5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 8 V, +
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
2.1 V,
1.2 V
Qg-栅极电荷:
2.7 nC,
6.4 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
6 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Reel
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
商标:
Texas
Instruments
配置:
Dual
下降时间:
1.3 ns,
2.4 ns
正向跨导 - 最小值:
48 S / 26
S
高度:
1.5 mm
长度:
3.3 mm
产品类型:
MOSFET
上升时间:
4.5 ns,
4.7 ns
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
2
N-Channel
典型关闭延迟时间:
7.4 ns,
11.2 ns
典型接通延迟时间:
3.4 ns,
3.8 ns
宽度:
3.3 mm
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