赛米控IGBT模块SKiiP3614GB17E4-6DUL
赛米控IGBT模块SKiiP3614GB17E4-6DUL
产品价格:¥99999(人民币)
  • 规格:SKiiP3614GB17E4-6DUL
  • 发货地:中国
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    商品详情

      赛米控IGBT模块SKiiP3614GB17E4-6DUL

      赛米控IGBT模块SKiiP3614GB17E4-6DUL

      金风 华锐 联合动力 国电 远景 龙源 韵达 西门子歌美飒 维斯塔斯风电变频器IGBT模块  电容 二极管 可控硅

      北京京诚宏泰科技有限公司销售供应赛米控IGBT模块SKiiP3614GB17E4-6DUL


      SKIIP2414GB17E4-4DUK1171
      SKIIP2414GB17E4-4DUK310

      2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273是一款风电 光伏新能源 逆变器 变频器智能IGBT模块

      SkiiP® 4 IGBT模块的设计和性能。新型IGBT模块中采用无基板的直接铜键合 (DBC) 概念,配备高性能冷却器(散热片)。这样一来,由四个半桥组成的功率模块SKiiP2414GB17E4-4DUHP的电流开断能力提高了25%,能在1700 V的电压条件下轻松开断IGBT上明显高于2400 A的电流

      SKiiP 2414 GB17E4-4DUW V2

      2XSKIIP1013GB172-2DFK0108
      SKIIP1013GB172-2D

      SKiiP2414GB17E4-4DUK310

      SKiiP模块产品特点 北京京诚宏泰科技有限公司赛米控IGBT模块SKiiP3614GB17E4-6DUL
      4合1:功率IPM  驱动器、功率半导体、高精度电流传感器和高性能冷却风冷或水冷(HPC)
      完全组装和老化测试
      高功率密度
      采用了烧结技术,功率循环能力提高了2-3倍(SKiiP 4)
      性能比传统水冷却器高25%。用于SKiiP 4的高性能冷却(HPC),单侧和双侧安装在HPC水冷器上
      来自赛米控高度集成的IPM-IGBT模块--北京京诚宏泰科技有限公司
      SKiiP(SEMIKRON智能功率模块)将IGBT模块,驱动和散热集于一身。生产结束后的全性能测试(包括一个小时的老化测试)确保了应用的高可靠性。 北京京诚宏泰科技有限公司销售赛米控IGBT模块SKiiP3614GB17E4-6DUL
      SKiiP IPM 1200V和1700V产品系列为高性能和高可靠的逆变器设计树立了基准。 SKiiP 3和SKiiP 4均具有高功率密度,并结合了灵活的散热选项(风冷或水冷)以及定制的散热器。集成了电流传感器和全功能保护的可靠驱动技术完善了IPM的设计。
      SKiiP 3在工业传动领域得到广泛应用。凭借其全桥或半桥拓扑,它涵盖了从500A到2400A的电流范围。
      SKiiP 4具有半桥拓扑结构,并根据 功率循环要求进行了优化,涵盖了高达3600A的电流范围。
      SKiiP模块 的关键特性
      集成驱动、功率模块和散热器
      集成温度测量
      集成精准的电流传感器
      集成直流母线监测
      SKiiP4包含可配置和读取的CAN总线
      免焊接的烧结技术SKiiP 4
      SKiiP IGBT模块 的优势 北京京诚宏泰科技有限公司


      得益于银烧结和高性能冷却器技术,SKiiP提高了对苛刻的电源循环条件的可靠性。与传统的焊接方法相比,烧结技术延长了工作寿命,提高了对主动和被动热循环的弹性。
      SKiiP 4数字驱动器降低了设计复杂性也减少了昂贵元件的使用,它保证了开关信号和参数测量的安全隔离。除了高可靠性设计,SKiiP 4驱动器还包括CAN-bus功能。
      SKiiP IPM产品系列为高性能和稳健的逆变器设计树立了一个基准。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度,结合灵活的冷却选项,如风冷和水冷却或定制的散热器。可靠的驱动技术、集成的电流传感器和全面的保护功能完善了IPM的设计。北京京诚宏泰科技有限公司销售赛米控IGBT模块SKIIP2414GB17E4-4DUW西门康IPM模块
      SKiiP 3在工业驱动领域得到了广泛的推广。凭借其三相全桥和半桥拓扑结构,它涵盖的电流范围从500A到2400A。
      SKiiP 4采用半桥拓扑结构,它已针对 功率循环要求进行了优化,涵盖了高达3600A的更高功率范围。它是市场上智能电源模块

      SKIIP1013GB172-2DL V3
      SKIIP1203GB172-2DW V3
      SKIIP1513GB172-3DL V3
      SKiiP1513GB172-3DK0244
      SKIIP1513GB172-3DK0215
      SKIIP1513GB172-3DFK0351

      SKiiP1803GB172-3DW V3

      SKIIP1803GB172-3DK0398
      SKiiP1803GB123-3DUK0299
      SKiiP1803GB172-3DFK0368
      SKiiP1813GB123-3DUK1080
      SKiiP1813GB123-3DUK0382
      SKiiP2403GB123-4DUK0381
      SKiiP2413GB123-4DUK1070
      SKiiP2403GB123-4DUK0262
      SKIIP1814GB17E4-3DL
      SKIIP1814GB17E4-3DW
      SKIIP2414GB17E4-4DL
      SKIIP2414GB17E4-4DW
      SKIIP3614GB17E4-6DL
      SKIIP3614GB17E4-6DW
      SKiiP1814GB12E4-3DUW

      IGBT  北京京诚宏泰科技有限公司销售供应赛米控IGBT模块SKiiP3614GB17E4-6DUL


      IGBT是什么?
      IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
      北京京诚宏泰科技有限公司销售供应赛米控IGBT模块SKIIP2414GB17E4-4DUW西门康IPM模块
      IGBT与MOSFET的对比
      MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
      优点:热稳定性好、安全工作区大。
      缺点:击穿电压低,工作电流小。
      IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
      特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。
      IGBT的典型应用
      电动机
      不间断电源
      太阳能面板安装
      电焊机
      电源转换器与反相器
      电感充电器
      电磁炉

      SKiiP 2414 GB1 7E4-4DPVW V2
      SKiiP 2414 GB1 7E4-4DPVL V2
      SKiiP 2414 GB1 7E4-4DUHP

      SKiIP 2414 GB17E4-4DUHP323

      北京京诚宏泰科技有限公司销售供应赛米控IGBT模块SKiiP3614GB17E4-6DUL

      SKiiP1213GB123-2DW V3
      SKiiP1813GB123-3DL V3
      SKiiP1813GB123-3DW V3
      SKiiP2413GB123-4DL V3
      SKiiP2413GB123-4DW V3
      SKIIP1013GB172-2DK0203
      SKiiP1814GB12E4-3DUL
      SKiiP1814GB12E4-3DUW
      SKiiP2414GB12E4-4DUL
      SKiiP2414GB12E4-4DUW
      SKiiP3614GB12E4-6DUL


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